大家都知道，我国由于EUV光刻机缺失的缘故，一直无法打造7nm以下工艺制程芯片，这对于我国芯片发展而言是一个主要瓶颈。

而随着我国在芯片领域的大力发展，如今绕开ASML光刻机，闯出了一条新路，那么我国如今是否可以制造7nm工艺芯片呢？

要回答这个问题之前，我们不得不先了解一下我国芯片发展和ASML的差距，ASML作为芯片制造领域的重要供应商，旗下的EUV光刻机和DUV光刻机几乎垄断了100%的市场份额。

其中DUV光刻机可以制作7nm以上工艺制程芯片，针对于成熟芯片均可实现量产，通过ASML的供应，我国目前也有一定数量的DUV光刻机，但由于我国芯片需求量巨大，所以不足以满足我国对DUV光刻机的需求。

值得一提的是DUV光刻机针对于7nm工艺芯片也是可以实现量产，但整体良率不高，加上中国芯片量产技术并没有跟上，以至于制作7nm工艺芯片完全是事半功倍。

反观EUV光刻机则是针对于7nm以下工艺制程芯片的量产设备，目前我国急需这种EUV光刻机，但由于美国的“干扰”，以至于我国目前没有任何一台EUV光刻机。

可以说本身EUV光刻机是我国突破7nm以下工艺制程芯片的重要因素，但如今由于老美的“手段”，所以不得不走上自研的道路。

好在由于我国芯片领域的大力发展，闯出了一条新路，与ASML光刻机的设计完全不同，并且已经小有成效，那就是超分辨光刻机。

超分辨光刻机不仅解决了超分辨光刻镜头，还突破了高均匀性照明、多自由度工件台等技术，采用表面等离子超衍射光刻的方法，产生出特殊的等离子体，并将其涂抹在光刻胶的圆上。

根据公开信息显示，超分辨光刻机所采用的是365nm波长光源，单论不采用任何加持技术的情况，能够实现22nm工艺芯片的量产。

而通过多重曝光等手段加持，可以实现10nm工艺甚至10nm工艺制程以下的芯片制造，不过针对于良率上官方没有给出合适的解答。

较ASML来说，要知道波长作为光刻机颇为重要的一部分，其中ASML的EUV光刻机的波长是13.5nm，DUV光刻机的波长是193nm，按照波长越小越能够带来更小工艺芯片的规律可见，差距还是不小的。

那么如今超分辨光刻机是否可以制造7nm工艺芯片呢？答案是不能，不过我国如今能够自产超分辨光刻机意味着算是在自研光刻机这方面走出了第一步，要知道光刻机研发难度非常大，其中的激光、镜头、双工台都是精密仪器的代表作。

所以我国针对于超分辨光刻机的研发之路还有很长的时间要走，好在0-1这一步如今算是已经成功了，所以接下来的研发预计会顺利一点。

值得一提的是较于清华大学元成像芯片和华为超导量子芯片依旧处于研发阶段来说，因此已经进入验收阶段的超分辨光刻机算是快上很多了。

当然，这也意味着清华大学元成像芯片和华为超导量子芯片要加油了，未来几年时间大概率会是我国在芯片发展上的重要时刻。

不仅仅如此，美国的电子束光刻机和日本的纳米压印设备等都是在挑战ASML传统光刻机，所以很可能接下来几年，国际芯片市场中会迎来更大的“寒流”。